[发明专利]双极结型晶体管布局在审
| 申请号： | 201610555184.7 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106409892A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡汉旻;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;李孝纯;周硕君;傅淑芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/423;H01L29/417;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双极结型晶体管包括发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 布局 | ||
【主权项】：
一种双极结型晶体管(BJT)，包括：发射极；基极接触件，包括两个基极指状件，所述两个基极指状件形成角部以接收所述发射极；集电极，包括两个集电极指状件，所述两个集电极指状件沿着所述基极接触件的基极指状件延伸；浅沟槽隔离件，设置在所述发射极和所述基极接触件之间，以及所述基极接触件和所述集电极之间。
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