[发明专利]一种MRAM芯片及其自测试方法在审
| 申请号： | 201610532014.7 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107591184A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;俞华樑 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个区域，区域包括多个存储阵列与一个备份阵列，备份阵列中的存储单元行用于替换MRAM芯片中包括失效或损坏的存储单元的存储单元字,存储单元字的宽度小于存储阵列的列的数目。本发明还提供一种MRAM芯片的自测试方法。本发明提供的MRAM芯片及其自测试方法，通过设置备份阵列，使用备份阵列中的存储单元行替换存储阵列与备份阵列中包括损坏的存储单元的存储单元字，存储单元字的宽度小于存储阵列的列的数目，从而更有效利用备份阵列中的存储单元，延长MRAM芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 芯片 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM芯片，其特征在于，所述MRAM芯片包括一个或多个区域，所述区域包括多个存储阵列与一个备份阵列，所述备份阵列中的存储单元行用于替换所述MRAM芯片中包括失效或损坏的存储单元的存储单元字,所述存储单元字的宽度小于所述存储阵列的列的数目。
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