[发明专利]一种包含MRAM的芯片及其测试方法与维护方法在审

专利信息
申请号: 201610532012.8 申请日: 2016-07-07
公开(公告)号: CN107591177A 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 戴瑾 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C29/04
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种包含MRAM的芯片,MRAM中包含存储单元或备用存储单元,MRAM设置有状态寄存器,状态寄存器用于被写入设定的MRAM维护状态字时MRAM允许在内部处理器或外部处理器上运行的软件操作备用存储单元。本发明还提供一种包含MRAM的芯片的测试方法与维护方法。本发明提供的包含MRAM的芯片及其测试方法与维护方法,通过在内部处理器或外部处理器运行的软件进行测试或维护,MRAM内不再需要设置自测试系统,从而降低了MRAM的成本;通过运行优先级的设置,能更容易地减小MRAM维护对系统运行的干扰;采用纯软件的测试与维护比硬件的维护更具灵活性。
搜索关键词: 一种 包含 mram 芯片 及其 测试 方法 维护
【主权项】:
一种包含MRAM的芯片,MRAM中包含存储单元或备用存储单元,其特征在于,所述MRAM设置有状态寄存器,所述状态寄存器用于被写入设定的MRAM维护状态字时所述MRAM允许在内部处理器或外部处理器上运行的软件操作备用存储单元。
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