[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，所述方法包括提供衬底以及位于衬底上的鳍部，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成具有第一阈值电压的晶体管，第二区域用于形成具有第二阈值电压的晶体管，第一阈值电压小于第二阈值电压；在衬底上形成层间介质层；在第一区域层间介质层内形成第一开口；对第一开口底部进行掺氮工艺；在第二区域层间介质层内形成第二开口；在第一开口底部鳍部上形成第一界面层，在第二开口底部鳍部上形成第二界面层，第二界面层厚度大于第一界面层厚度。本发明通过掺氮工艺，使氮离子进入第一开口底部的鳍部内，以减小第一界面层的生长速度，使第一界面层厚度小于第二界面层厚度，从而使第一阈值电压小于第二阈值电压。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成具有第一阈值电压的晶体管，所述第二区域用于形成具有第二阈值电压的晶体管，且所述第一阈值电压小于所述第二阈值电压；形成横跨所述第一区域鳍部且覆盖部分第一区域鳍部顶部和侧壁表面的第一伪栅结构，形成横跨所述第二区域鳍部且覆盖部分第二区域鳍部顶部和侧壁表面的第二伪栅结构，其中，所述第一伪栅结构包括第一伪栅氧化层和第一伪栅电极层，所述第二伪栅结构包括第二伪栅氧化层和第二伪栅电极层；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第一伪栅结构侧壁以及第二伪栅结构侧壁；去除所述第一伪栅电极层，在所述层间介质层内形成第一开口；对所述第一开口底部进行掺氮工艺；去除所述第二伪栅电极层，在所述层间介质层内形成第二开口；去除所述第一开口底部的第一伪栅氧化层，去除所述第二开口底部的第二伪栅氧化层；在所述第一开口底部的鳍部上形成第一界面层，且在所述第二开口底部的鳍部上形成第二界面层，所述第二界面层的厚度大于所述第一界面层的厚度；形成所述第一界面层和第二界面层后，在所述第一开口中形成第一栅极结构，并在所述第二开口中形成第二栅极结构。