[发明专利]一种活性晶面缺陷型氯化钯催化剂及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种活性晶面缺陷型氯化钯催化剂及其制备方法和应用，催化剂的化学表示式为：PdClx(140)/Al2O3，催化剂表面PdClx(140)活性中心具有配位不饱和的缺陷结构。该催化剂的制备方法是在还原性气氛中对负载于载体表面的PdCl2进行原位重构，利用Pd‑Cl的不饱和配位效应构筑得到以缺陷型PdClx(140)晶面为活性中心的脱氢催化剂。这种缺陷型的活性中心在保证催化剂脱氢活性的同时，有效提高了催化剂对H2氧化的选择性，增强了催化剂长时间反应后的结构稳定性，从而达到最佳的脱氢催化剂“活性—选择性—稳定性”的平衡。该催化剂主要应用于草酸酯或碳酸酯合成用高纯CO原料气中少量H2杂质的选择氧化脱除。

主权项

一种活性晶面缺陷型氯化钯催化剂的制备方法，具体步骤如下：A.将氯化钯溶于去离子水中配制浓度0.05mol/L的溶液，使用浓度为1mol/L的盐酸将溶液的pH值调节至1～2；B.按照成品催化剂中氯化钯占催化剂的质量百分数，将γ‑Al2O3载体浸渍于步骤A配制得到的溶液中4～12h，待浸渍完全后滤去残液，得到催化剂前体；C.将步骤B得到的前体在200～500℃温度下真空焙烧4～8h，在1～3kW功率下微波处理0.1～1小时；D.将步骤C处理后的催化剂在还原性气氛下于100～150℃处理1～3小时，制备得到催化剂成品；所述还原性气氛为H2/Ar混合气或H2O/H2/Ar混合气，其中H2/Ar混合气中H2含量为5～20％；H2O/H2/Ar混合气中H2O含量为0.1～0.5％、H2含量为5～20％。