[发明专利]通过检测边缘刻蚀速率均一性监控晶圆位置偏移的方法在审
| 申请号： | 201610510480.5 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106128977A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 江旻;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种通过检测边缘刻蚀速率均一性监控晶圆位置偏移的方法，包括：第一步骤：将晶圆布置在干法刻蚀设备中；第二步骤：对干法刻蚀设备中的晶圆进行干法刻蚀；第三步骤：检测晶圆边缘区域的刻蚀速率均一性；第四步骤：根据检测出的晶圆边缘区域的刻蚀速率均一性判断晶圆位置的偏移情况。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 检测 边缘 刻蚀 速率 均一 监控 位置 偏移 方法 | ||
【主权项】：
一种通过检测边缘刻蚀速率均一性监控晶圆位置偏移的方法，其特征在于包括：第一步骤：将晶圆布置在干法刻蚀设备中；第二步骤：对干法刻蚀设备中的晶圆进行干法刻蚀；第三步骤：检测晶圆边缘区域的刻蚀速率均一性；第四步骤：根据检测出的晶圆边缘区域的刻蚀速率均一性判断晶圆位置的偏移情况。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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