[发明专利]纳米异质结构的制备方法有效
| 申请号： | 201610502909.6 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107564862B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米异质结构的制备方法，包括：提供一支撑结构，在支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管；在所述第一碳纳米管层中找出平行且间隔设置的一个第一金属性碳纳米管和一个半导体性碳纳米管，标识该第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，在第二碳纳米管层中找出一个第二金属性碳纳米管，该第二金属性碳纳米管的延伸方向与所述第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的延伸方向交叉，标识该第二金属性碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管刻蚀去除；以及将上述结构进行退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米异质结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一支撑结构，在所述支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；S2：在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；S3：覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管；S4：在所述第一碳纳米管层中找出平行且间隔设置的一个第一金属性碳纳米管和一个半导体性碳纳米管，标识该第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，在第二碳纳米管层中找出一个第二金属性碳纳米管，该第二金属性碳纳米管的延伸方向与所述第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的延伸方向交叉，标识该第二金属性碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管刻蚀去除；以及S5：将上述结构进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
