[发明专利]N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610497794.6 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106024877A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张林;张赞;高恬溪;朱玮 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，所述N型SiC电流增强层上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部相接触，所述P型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述N型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟肖特基栅 碳化硅 静电感应 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极(7)、P型SiC衬底(1)、N型SiC缓冲层(2)、N型SiC漂移层(3)和N型SiC电流增强层(4)，所述N型SiC电流增强层(4)上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层(5)，N型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有N型欧姆接触电极(6)，N型欧姆接触电极(6)的形状与N型SiC欧姆接触层(5)相同，所述沟槽内设置有肖特基电极(8)，肖特基电极(8)与台阶侧面和沟槽底部相接触，所述P型欧姆接触电极(7)包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述N型欧姆接触电极(6)包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极(8)包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。
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