[发明专利]一种量子阱结构、一种LED外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201610486136.7 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098883B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 曹志芳;赵霞焱;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种量子阱结构、一种LED外延结构及其生长方法，包括多个量子阱单元，所述量子阱单元包括由下至上依次设置InGaN浅垒层、GaN量子垒层、第一InGaN浅阱层、InGaN量子阱层、第二InGaN浅阱层。本发明所设计的量子阱结构中，量子垒层包括通低流量TMIn源的InGaN浅垒层、不通TMIn源的GaN量子垒层，量子垒层包括通低流量TMIn源的第一InGaN浅阱层、通正常流量TMIn源的InGaN量子阱层、通低流量TMIn源的第二InGaN浅阱层，本发明设计的量子阱结构增加了通低流量TMIn源的InGaN浅垒层，使得量子垒层与量子阱层之间晶格适配度增加，减少内应力的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 结构 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种量子阱结构,其特征在于，包括多个量子阱单元，所述量子阱单元包括由下至上依次设置InGaN浅垒层、GaN量子垒层、第一InGaN浅阱层、InGaN量子阱层、第二InGaN浅阱层。
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