[发明专利]硅基板的加工方法和液体喷出头用基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610473940.1 申请日: 2016-06-24
公开(公告)号: CN106274059B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 渡边诚;田川义则;村山裕之;大宅修平;真锅贵信 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: B41J2/16 分类号: B41J2/16
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种硅基板的加工方法和液体喷出头用基板的制造方法。进行以下步骤:未贯通孔形成步骤,用于将第二面的供给路径形成区域划分成与梁的形成位置相对应的第一区域、在第一区域的两侧与第一区域邻接的第二区域、以及不是第一区域和第二区域的第三区域,并且在第二区域和第三区域中形成多个未贯通孔;以及蚀刻步骤,用于从第二面对硅基板进行各向异性蚀刻,由此形成供给路径并在供给路径中形成梁。在未贯通孔形成步骤中,使得未贯通孔的间隔和深度至少之一在第二区域和第三区域中不同,由此控制在蚀刻步骤中要形成的梁的形状和尺寸。
搜索关键词: 第二区域 第一区域 贯通孔 供给路径 硅基板 蚀刻 液体喷出头 基板 各向异性蚀刻 邻接 加工 制造
【主权项】:
1.一种硅基板的加工方法,包括以下步骤:在具有第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面的硅基板中形成供给路径,其中,所述供给路径贯通所述硅基板,并且所述供给路径包括用于使所述供给路径的相对的边彼此连接的梁,其特征在于,所述方法还包括以下步骤:未贯通孔形成步骤,用于针对各个所述梁,将所述第二面中的要形成所述供给路径的区域划分成与所述梁的形成位置相对应的第一区域、在所述第一区域的两侧与所述第一区域邻接的第二区域、以及不是所述第一区域和所述第二区域的第三区域,并且在所述第二区域和所述第三区域中从所述第二面以预定深度形成没有贯通所述硅基板的多个未贯通孔;以及蚀刻步骤,用于从所述第二面对形成有所述多个未贯通孔的所述硅基板进行各向异性蚀刻,由此形成所述供给路径并在所述供给路径中形成所述梁,其中,所述未贯通孔形成步骤包括使得所述多个未贯通孔中的各未贯通孔的间隔和深度至少之一在所述第二区域和所述第三区域中不同。
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