[发明专利]高压NLDMOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 201610470538.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106057870A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压NLDMOS器件，在P型衬底中具有第一及第二N型深阱，第一N型深阱上具有场氧；第二N型深阱中还具有P阱；所述第一N型深阱作为NLDMOS器件的漂移区，第一N型深阱中含有NLDMOS器件的漏区，位于场氧的一侧；所述第二N型深阱中含有P阱，P阱中具有所述NLDMOS器件的源区以及重掺杂P型区；第二N型深阱靠近第一N型深阱的部分覆盖栅氧化层和多晶硅栅极；器件表面具有层间介质，层间介质上具有金属连线将器件电极引出；源、漏区层间介质上分别具有源端场板及漏端场板；第一N型深阱和P阱中，均具有P型注入层；所述的第一N型深阱中间位置的层间介质上覆盖有浮空的第二金属场板。本发明还公开了所述高压NLDMOS器件的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 nldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种高压NLDMOS器件，在P型衬底中具有第一及第二N型深阱，第一N型深阱上具有场氧；第二N型深阱中还具有P阱；所述第一N型深阱作为NLDMOS器件的漂移区，第一N型深阱中含有NLDMOS器件的漏区，位于场氧的一侧；所述第二N型深阱中含有P阱，P阱中具有所述NLDMOS器件的源区以及重掺杂P型区；第二N型深阱靠近第一N型深阱的部分覆盖栅氧化层和多晶硅栅极；器件表面具有层间介质，层间介质上具有金属连线将器件电极引出；源、漏区层间介质上分别具有源端场板及漏端场板；第一N型深阱和P阱中，均具有P型注入层；其特征在于：所述的第一N型深阱中间位置的层间介质上覆盖有第二金属场板。
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