[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610453098.5 | 申请日: | 2016-06-21 |
公开(公告)号: | CN106098698B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 詹小舟;孙建;秦文文;安星俊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09G3/20 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,其中,栅极驱动电路分散设置在相邻两行亚像素单元之间的区域内。这样,就可以不在阵列基板的侧边处制作栅极驱动电路,使得相应的区域也可以作为显示区域,这样就可以进一步降低阵列基板的边框区域的宽度。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基底以及形成在基底上的亚像素单元阵列、用于为亚像素单元阵列提供扫描脉冲的栅线、用于为亚像素单元阵列提供数据电压的数据线、用于为栅线提供扫描脉冲的GOA栅极驱动电路以及用于驱动所述GOA栅极驱动电路的驱动信号线;其中,所述GOA栅极驱动电路分散设置在多个第一非开口区域中,分散设置的各个部分通过沿数据线方向延伸的连接线相互电连接;其中,所述第一非开口区域为相邻两行亚像素单元之间的区域;位于GOA栅极驱动电路所在的第一非开口区域两侧的两行亚像素单元中位于第一侧的一行亚像素单元所连接的栅线位于该行亚像素单元的第一侧的第一非开口区域中,位于第二侧的一行亚像素单元所连接的栅线位于该行亚像素单元的第二侧的第一非开口区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的