[发明专利]一种三元复合半导体材料的制备方法

摘要

本发明涉及复合半导体材料，特指一种三元结构复合半导体材料的制备方法。称取rGO和g‑C₃N₄粉体分别溶于相同体积的去离子水中，然后超声分散，分别得到rGO和g‑C₃N₄的悬浮液，再将rGO和g‑C₃N₄的悬浮液超声混合，然后依次加入Zn(NO₃)₂·6H₂O，0.1M的HNO₃和去离子水，在水浴条件下搅拌均匀，随后加入硫代乙酰胺(TAA)，磁力搅拌反应后，在冰浴条件下冷却至0‑5℃，洗涤、离心分离、干燥。还原氧化石墨烯纳米片负载多孔状石墨相氮化碳形成二元面间接触，随后球形的硫化锌负载在形成的二元材料表面，这种结构不仅保持了原有材料的物化性能，还促进了电子的快速转移，提高其光催化活性。

主权项

一种三元复合半导体材料的制备方法，所述三元复合半导体材料rGO/g‑C₃N₄/ZnS三元复合半导体材料，还原氧化石墨烯纳米片负载多孔状石墨相氮化碳形成二元面间接触，随后球形的硫化锌负载在形成的二元材料表面，其特征在于具体步骤如下：称取rGO和g‑C₃N₄粉体分别溶于相同体积的去离子水中，然后超声分散，分别得到rGO和g‑C₃N₄的悬浮液，再将rGO和g‑C₃N₄的悬浮液超声混合，然后依次加入Zn(NO₃)₂·6H₂O，0.1M的HNO₃和去离子水，在水浴条件下搅拌均匀，随后加入硫代乙酰胺(TAA)，磁力搅拌反应后，在冰浴条件下冷却至0‑5℃，洗涤、离心分离、干燥。