[发明专利]用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法在审
| 申请号： | 201610439088.6 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105887195A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 | 申请（专利权）人： | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B11/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | vgf 生长 单晶体 清洗 方法 | ||
【主权项】：
用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括以下步骤：(1)锗锭清洗：将高纯度6N区熔锗锭放入第一溶液腐蚀，然后依次进行去离子水第一次冲洗、去离子水超声清洗和去离子水第二次冲洗，再用无水乙醇脱水，最后烘干；所述第一溶液为氢氟酸和过氧化氢的水溶液，所用氢氟酸浓度为48.8％～49.2％，过氧化氢浓度为30％～32％，体积比为V (HF): V(H2O2):V(H2O)=1:1.5:9，腐蚀温度为常温，时间为15～30分钟； (2)石英管清洗：将石英管放入第二溶液腐蚀，然后用去离子冲洗，最后用无水乙醇脱水；第二溶液为氢氟酸水溶液，所用氢氟酸浓度为48.8％～49.2％，体积比为V (HF):V(H2O)=1:7，腐蚀温度为常温，时间为20分钟；(3) PBN坩埚清洗：用1500＃砂纸擦净PBN坩埚表面污点，然后将PBN坩埚放入第三溶液腐蚀，腐蚀后用去离子第一次冲洗，再放入第四溶液腐蚀，然后用去离子水第二次冲洗，用去离子水超声清洗，去离子水第三次冲洗，最后无水乙醇脱水；第三溶液为王水，所用硝酸浓度为69％～72％，盐酸浓度为36％～38％，体积比为V (HNO3):V(HCl)=1:3，腐蚀温度为常温，时间为20～30分钟；第四溶液为氢氟酸和氟化铵的水溶液，所用氢氟酸浓度为48.8％～49.2％，氟化铵浓度为10mg/L，体积比为V (HF):V(NH4F):V(H2O)=1:1:10，腐蚀温度为常温，时间为15～25分钟；(4) 籽晶清洗：将籽晶放入第五溶液腐蚀，然后用去离子冲洗，最后用无水乙醇脱水；第五溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，所用硝酸浓度为69％～72％，氢氟酸浓度为48.8％～49.2％，体积比为V (HNO3):V(HF)=1:2，腐蚀温度为常温，时间为2分钟。
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