[发明专利]一种新型的碳纳米晶体管存储器的测试方法在审
| 申请号： | 201610436601.6 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106128509A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 蒋力;李天健;梁晓峣 | 申请（专利权）人： | 凌美芯（北京）科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/10 | 分类号： | G11C29/10;G11C29/44;G11C29/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种碳纳米晶体管存储器的测试方法，包括步骤：1）使用跳跃测试算法对碳纳米晶体管存储器进行测试，快速定位错误段的位置，得到存储器的错误分布信息；2）对得出的错误信息，通过冗余分析结构进行冗余分析，得出可修复的芯片和不可修复的芯片；3）对可修复的芯片，对未测试的位置进行行进式测试算法检测所有存储单元，得到准确错误信息；本发明在早期就通过本发明提出的测试方法筛选出那些具有严重级联故障的CNFET‑SRAM芯片，节省后续的行进式测试成本；有效减少被测存储单元的数目，测试方法简单利于实现，配合冗余资源分析部件，可以快速的判定芯片是否可以被修复，提高检测速度，减少不必要的后续开销。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 纳米 晶体管 存储器 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米晶体管存储器的测试方法，其特征在于所述测试方包括步骤：1）使用跳跃测试算法对碳纳米晶体管存储器进行测试，快速定位错误段的位置，得到存储器的错误分布信息；2）对得出的错误信息，通过冗余分析结构进行冗余分析，得出可修复的芯片和不可修复的芯片；3）对可修复的芯片，对未测试的位置进行行进式测试算法检测所有存储单元，得到准确错误信息；4）对不能修复的芯片，直接丢弃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凌美芯（北京）科技有限责任公司，未经凌美芯（北京）科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610436601.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
