[发明专利]一种SU8阵列式微反应池的制备方法在审
| 申请号： | 201610432048.9 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105974730A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈哲;张睿;王者馥;王绪敏;殷金龙;任鲁风 | 申请（专利权）人： | 北京中科紫鑫科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SU8阵列式微反应池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：匀胶、前烘、曝光、后烘、降温、显影、坚模和镀膜步骤，其中镀膜步骤是将SU8阵列式反应池池壁镀上30‑90nm的反射薄膜。与现有技术相比，本发明的优点是通过添加镀膜的步骤，使制备出的SU8微反应池具有很好的抗光学串扰能力，从而能更好地应用于基于测序等对SU8微反应池光学性质要求较高的应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 su8 阵列 式微 反应 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SU8阵列式微反应池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）匀胶：将SU8滴加至光纤面板中心，旋转光纤面板直至SU8在光纤面板上形成一层厚度均匀的涂层；（2）前烘：将璇涂有SU8涂层的光纤面板放置在干燥加热的环境中，使SU8层成膜；（3）曝光：采用紫外光将覆盖有阵列图案的掩膜的SU8膜曝光；（4）后烘：将上覆曝光后SU8膜的光纤面板干燥加热的环境中后烘；（5）降温：将上覆后烘处理过的SU8膜的光纤面板放入氦气柜中使SU8膜和光纤面板降至室温；（6）显影：使用显影剂使光纤面板上的SU8膜显影，形成阵列式反应池；（7）坚模：将所形成的SU8阵列式反应池以及光纤面板放入烘箱中进行坚模，烘箱温度为80℃，持续1‑1.5h；（8）镀膜：将SU8阵列式反应池池壁镀上30‑90nm的反射薄膜。
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