[发明专利]一种具有高占空比特性的振荡器有效

专利信息
申请号: 201610431531.5 申请日: 2016-06-16
公开(公告)号: CN106067784B 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 周泽坤;曹建文;李天生;石跃;丁立文;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K3/017 分类号: H03K3/017
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电源管理技术领域,涉及一种具有高占空比特性的振荡器。本发明的振荡器,包括充放电模块、高限比较器、低限比较器和RS锁存器;所述充放电模块由充放电电阻RT、电容CT和放电恒流源构成,充放电电阻RT和电容CT串联,充放电电阻RT接基准电压,电容CT接地,充放电电阻RT和电容CT的连接点接放电恒流源;高限比较器的负向输入端接高限比较电压,正向输入端接充放电电阻RT和电容CT的连接点,高限比较器的输出端接RS锁存器的R输入端;低限比较器的正向输入端接低限比较电压,负向输入端接充放电电阻RT和电容CT的连接点,低限比较器的输出端接RS锁存器的S输入端。本发明的有益效果为,可以精确地设定频率及大占空比。
搜索关键词: 一种 具有 高占空 特性 振荡器
【主权项】:
1.一种具有高占空比特性的振荡器,包括充放电模块、高限比较器、低限比较器和RS锁存器;所述充放电模块由充放电电阻RT、电容CT和放电恒流源构成,充放电电阻RT和电容CT串联,充放电电阻RT接基准电压,电容CT接地,充放电电阻RT和电容CT的连接点接放电恒流源;高限比较器的负向输入端接高限比较电压,正向输入端接充放电电阻RT和电容CT的连接点,高限比较器的输出端接RS锁存器的R输入端;低限比较器的正向输入端接低限比较电压,负向输入端接充放电电阻RT和电容CT的连接点,低限比较器的输出端接RS锁存器的S输入端;RS锁存器输出控制信号,其中,高限比较器产生的信号作为充放电模块的控制信号,低限比较器产生的信号作为充放电模块控制信号的同时也作为振荡器的输出;所述充放电模块还包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2;第一三极管Q1的基极接电源,其集电极接基准电压,其发射极接第一电流源I1的输入,第一电流源I1的输出接地;第二三极管Q2的发射极接第二电流源I2的输出,第二二极管的基极接电源,其集电极接地;第二电流源I2的输入接基准电压;第三三极管Q3的集电极接基准电压,其基极接第二电流源I2的输出,第三三极管Q3的发射极接第四三极管Q4的发射极,第四三极管Q4的基极接第一三极管Q1的发射极,第四三极管Q4的集电极接地;第一NMOS管MN1的栅极接第三三极管Q3发射极与第四三极管Q4发射极的连接点,第一NMOS管MN1的漏极 接第三电流源I3的输出,其源极接充放电电阻RT和电容CT的连接点;第三电流源I3的输入接基准电压;第二NMOS管MN2的漏极接第三电流源I3的输出,第二NMOS管MN2的栅极接控制信号,其源极接地;第一NMOS管MN1的栅极接第一稳压管D1的负极,第一稳压管D1的正极接地;第二NMOS管MN2的栅极接第二稳压管D2的负极,第二稳压管D2的正极接地。
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