[发明专利]LED芯片制作方法

摘要

本申请公开LED芯片制作方法，依次包括：外延片清洗、沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、ITO光刻、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO蚀刻图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO₂保护层。在沉积ITO之后，在ITO表面沉积一层SiON，这样就使得ITO光刻、ITO蚀刻图形化、ICP光刻、ICP刻蚀、ICP刻蚀后去胶这五步过程中ITO膜层受到SiON的保护，避免了损伤和污染，提高了ITO膜层质量，从而提高了LED芯片的亮度，降低了电压。

主权项

1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，依次包括：外延片清洗、沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、ITO光刻、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO蚀刻图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO₂保护层，所述沉积SiON膜，进一步为：采用等离子体增强化学气相沉积法在ITO表面沉积SiON，沉积过程中，通入SiH₄和N₂，其中，SiH₄的通入量与N₂的通入量比为1:25‑1:70，采用高低频混频沉积，其中，高频功率为40W‑100W，低频功率为35W‑95W，反应腔压力为700Pa‑1000Pa，沉积的SiON膜的厚度为400A‑1000A，折射率为1.68‑1.82，透过率为100‑110，消光系数为0；所述用磷酸去除SiON为：将磷酸加热至80℃‑200℃，磷酸与水的体积比为5:5‑9:1，用加热后的磷酸对SiON进行冲洗，时间为30s‑200s，去除SiON。