[发明专利]CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法

摘要

一种CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法，CMOS器件的形成方法包括：对PMOS区域的不同区域进行第一阈值电压掺杂处理和第二阈值电压掺杂处理，第一阈值电压掺杂处理浓度小于第二阈值电压掺杂处理浓度；且在PMOS区域不同区域的栅介质层上形成的P型功函数层厚度不同；对NMOS区域的不同区域进行第三阈值电压掺杂处理和第四阈值电压掺杂处理，第三阈值电压掺杂处理浓度大于第四阈值电压掺杂处理浓度；且在NMOS区域不同区域的栅介质层上形成的N型功函数层的厚度不同。本发明形成的器件具有不同阈值电压，且不同器件之间的阈值电压差值较大，满足器件性能的需求。

主权项

一种CMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括PMOS区域和NMOS区域的基底，所述PMOS区域包括第一P型阈值电压区、第二P型阈值电压区以及第三P型阈值电压区，所述NMOS区域包括第一N型阈值电压区、第二N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区；对所述第一P型阈值电压区以及第三P型阈值电压区的基底进行第一阈值电压掺杂处理；对所述第二P型阈值电压区的基底进行第二阈值电压掺杂处理，且所述第一阈值电压掺杂处理的掺杂浓度小于第二阈值电压掺杂处理的掺杂浓度；对所述第一N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区的基底进行第三阈值电压掺杂处理；对所述第二N型阈值电压区的基底进行第四阈值电压掺杂处理，且所述第三阈值电压掺杂处理的掺杂浓度大于第四阈值电压掺杂处理的掺杂浓度；在所述基底上形成栅介质层；在所述第一P型阈值电压区的栅介质层上形成第一P型功函数层；在所述第二P型阈值电压区以及第三P型阈值电压区的栅介质层上形成第二P型功函数层，且所述第二P型功函数层的厚度大于所述第一P型功函数层的厚度；在所述第一N型阈值电压区的栅介质层上形成第一N型功函数层；在所述第二N型阈值电压区以及第三N型阈值电压区的栅介质层上形成第二N型功函数层，且所述第二N型功函数层的厚度大于所述第一N型功函数层的厚度；在所述第一P型功函数层上、第二P型功函数层上、第一N型功函数层上以及第二N型功函数层上形成金属层。