[发明专利]石墨烯/TiO2纳米柱阵列肖特基结紫外光电探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610409776.8 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN107195725A 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 梁凤霞;王九镇;罗林保;张腾飞;张登月 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/108;H01L31/0352
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 代理人: 卢敏,何梅生
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种石墨烯/TiO2纳米柱阵列肖特基结紫外光电探测器及其制备方法,其是在FTO玻璃的上表面生长有TiO2纳米柱阵列,阵列以FTO为欧姆接触电极;在TiO2纳米柱阵列的顶端设置有与阵列呈肖特基接触的石墨烯薄膜,在石墨烯薄膜上引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的引出电极。本发明的紫外光电探测器利用排列规则的TiO2纳米柱阵列增大材料的表面积,同时利用石墨烯高透光率、低电阻率等优良特性,增强了对光的吸收,提高了对光的响应度,器件光吸收能力强、对紫外光感应灵敏、抗电磁干扰强,为二氧化钛纳米材料在光电探测器的应用中开拓了新的前景。
搜索关键词: 石墨 tio2 纳米 阵列 肖特基结 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
石墨烯/TiO2纳米柱阵列肖特基结紫外光电探测器,其特征在于:所述紫外光电探测器是在FTO玻璃(1)的上表面生长有TiO2纳米柱阵列(2),所述TiO2纳米柱阵列以FTO为欧姆接触电极;在所述TiO2纳米柱阵列(2)的顶端设置有与所述TiO2纳米柱阵列(2)呈肖特基接触的石墨烯薄膜(3),在所述石墨烯薄膜(3)上引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的引出电极(4)。
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