[发明专利]石墨烯/TiO2纳米柱阵列肖特基结紫外光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201610409776.8 | 申请日: | 2016-06-03 |
公开(公告)号: | CN107195725A | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 梁凤霞;王九镇;罗林保;张腾飞;张登月 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/108;H01L31/0352 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人: | 卢敏,何梅生 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯/TiO2纳米柱阵列肖特基结紫外光电探测器及其制备方法,其是在FTO玻璃的上表面生长有TiO2纳米柱阵列,阵列以FTO为欧姆接触电极;在TiO2纳米柱阵列的顶端设置有与阵列呈肖特基接触的石墨烯薄膜,在石墨烯薄膜上引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的引出电极。本发明的紫外光电探测器利用排列规则的TiO2纳米柱阵列增大材料的表面积,同时利用石墨烯高透光率、低电阻率等优良特性,增强了对光的吸收,提高了对光的响应度,器件光吸收能力强、对紫外光感应灵敏、抗电磁干扰强,为二氧化钛纳米材料在光电探测器的应用中开拓了新的前景。 | ||
搜索关键词: | 石墨 tio2 纳米 阵列 肖特基结 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
石墨烯/TiO2纳米柱阵列肖特基结紫外光电探测器,其特征在于:所述紫外光电探测器是在FTO玻璃(1)的上表面生长有TiO2纳米柱阵列(2),所述TiO2纳米柱阵列以FTO为欧姆接触电极;在所述TiO2纳米柱阵列(2)的顶端设置有与所述TiO2纳米柱阵列(2)呈肖特基接触的石墨烯薄膜(3),在所述石墨烯薄膜(3)上引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的引出电极(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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