[发明专利]互连结构及形成方法

摘要

一种互连结构及形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有前层待连接件；形成第一介质层和替代介质层，替代介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数；形成位于替代介质层上的介质叠层；形成开口；形成互连结构。本发明通过形成依次覆盖前层待连接件的第一介质层和替代介质层；之后在替代介质层上形成介质叠层；再在介质叠层、替代介质层以及第一介质层内形成互连结构。由于替代介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数，与现有技术相比，相同介质层厚下，利用替代介质层代替部分厚度的第一介质层能减小介电常数，进而能够减小互连结构的寄生电容，提高所形成半导体器件的性能。

主权项

一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有前层待连接件；形成依次位于所述前层待连接件上的第一介质层和替代介质层，所述替代介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数；形成位于所述替代介质层上的介质叠层；在所述介质叠层、所述替代介质层以及所述第一介质层内形成开口，所述开口的底部露出所述前层待连接件；向所述开口内填充导电材料，形成互连结构。