[发明专利]无压烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201610406720.7 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106083056A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 郭兴忠;杨辉;郑浦;高黎华 | 申请（专利权）人： | 台州东新密封有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/64 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 317015 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无压烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法，包括以下步骤：A、配制主原料：主原料由以下重量含量的成分组成：75％～85％的SiC、5％～15％的二硅化钼、10％的钇铝石榴石；B、将主原料均匀混合后，加入作为粘结剂的聚乙烯醇和作为分散剂的四甲基氢氧化铵，机械球磨制备成碳化硅复合粉体；聚乙烯醇占主原料总重的3.0％，四甲基氢氧化铵占主原料总重的2.0％；C、将造粒粉置于模具中采用干压一次成型，获得碳化硅坯体；D、将上述碳化硅坯体进行无压液相烧结，温度为1850℃～1950℃，保温4～6小时；得到碳化硅/二硅化钼复合陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 制备 碳化硅 二硅化钼 复合 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
无压烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法，其特征是包括以下步骤：A、配制主原料：主原料由以下重量含量的成分组成：75％～85％的SiC、5％～15％的二硅化钼、10％的钇铝石榴石；B、将主原料均匀混合后，加入作为粘结剂的聚乙烯醇和作为分散剂的四甲基氢氧化铵，机械球磨制备成碳化硅复合粉体；聚乙烯醇占主原料总重的3.0％，四甲基氢氧化铵占主原料总重的2.0％；C、将造粒粉置于模具中采用干压一次成型，获得碳化硅坯体；D、将上述碳化硅坯体进行无压液相烧结，温度为1850℃～1950℃，保温4～6小时；得到碳化硅/二硅化钼复合陶瓷。
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