[发明专利]一种采用电子束的光刻方法有效
| 申请号： | 201610405199.5 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107479330B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用电子束的光刻方法，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；以及使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点。本发明提供的采用电子束的光刻方法，通过二维纳米材料将一个电子束衍射成多个电子束，既成本低廉又提高了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 电子束 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用电子束的光刻方法，其特征在于，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点；以及根据公式![]()
和sinθ＝R/(D2+R2)1/2，通过改变所述二维纳米材料与所述待加工件的表面的距离D，控制所述多个衍射电子束在待加工件的表面形成的衍射环的半径R，其中，d表示所述二维纳米材料的点阵周期，θ表示所述衍射电子束和所述透射电子束的夹角。
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