[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610404477.5 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106252320B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 渡边莊太;降旗博明;今井诚 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王颖;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使将二极管与MOSFET或IGBT搭载于同一封装件，也可以提高散热性的半导体装置。配置于MOSFET芯片(2)的背面的漏电极(2c)通过焊料连接在第二引线框(4)的上表面，配置于二极管芯片(1)的背面的阴极电极(1c)通过焊料连接在第一引线框(3)的上表面。将第一引线框(3)和第二引线框(4)的未连接二极管芯片(1)和MOSFET芯片(2)的背面配置为从密封树脂(9)露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，在具有第一引线框和第二引线框的半导体装置中，在所述第一引线框具备第一端子，在所述第二引线框具备第二端子，在所述第一引线框的一侧的主面上具备第一半导体芯片，在所述第二引线框的一侧的主面上具备第二半导体芯片，配置于所述第一半导体芯片的正面的第一电极通过键合线电连接于所述第二引线框的所述一侧的主面上，在所述第二半导体芯片的正面具有第二电极和第三电极，所述第二电极通过键合线与第三端子和第四端子电连接，所述第三电极通过键合线与第五端子电连接，将所述第一引线框的另一侧的主面与所述第二引线框的另一侧的主面配置为从密封树脂露出。
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