[发明专利]硅通孔结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610395605.4 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105870054B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 冯凯;刘玮荪;许忠义;黄自强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔结构及其形成方法。其中，硅通孔结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成通孔；在所述通孔中沉积掺杂的多晶硅锗。所述形成方法减小硅通孔结构应力，提高硅通孔结构形成方法的其它工艺的集成能力。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成通孔；在所述通孔中沉积掺杂的多晶硅锗；在所述通孔中沉积所述多晶硅锗的过程包括：每沉积第一厚度的所述多晶硅锗后，沉积第二厚度的非晶硅，然后再继续沉积第一厚度的所述多晶硅锗，如此反复进行，直至所述多晶硅锗和所述非晶硅填充满所述通孔；通过每隔第一厚度的多晶硅锗，就形成第二厚度的非晶硅，从而打断多晶硅锗的连续沉积过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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