[发明专利]用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法

摘要

本发明涉及用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法。用于在半导体衬底上以改善的方位角均匀性电镀金属的装置在一个方面包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成在电镀期间保持半导体衬底；离子阻性离子可穿透元件(“元件”)，其被配置成邻近衬底定位；和屏蔽件，其被配置用于提供方位角不对称屏蔽并定位在衬底支架和元件之间，使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述衬底的工作表面之间的最近距离为小于约2mm。在一些实施方式中，在电镀期间，在所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙。所述屏蔽件的面对衬底的表面可以设置轮廓使得从屏蔽件的不同位置到衬底的距离是变化的。

主权项

1.一种电镀装置，其包括：(a)电镀室，其被配置成在电镀金属到半导体衬底上时容纳电解液和阳极；(b)衬底支架，其被配置成在电镀期间保持所述半导体衬底；(c)离子阻性离子可穿透元件，其包括面对衬底的表面和相反的表面，其中所述离子阻性离子可穿透元件在电镀期间使得离子流能穿过所述离子阻性离子可穿透元件朝向所述半导体衬底流动，其中所述离子阻性离子可穿透元件包括多个非连通通道，并且其中所述离子阻性离子可穿透元件被定位成使得所述离子阻性离子可穿透元件的面对衬底的表面和所述半导体衬底的工作表面之间的最近距离为10mm或小于10mm；以及(d)屏蔽件，其被配置成用于提供方位角不对称屏蔽，其中该屏蔽件具有面对衬底的表面和相反的表面，其中，所述屏蔽件被定位成使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述半导体衬底的工作表面之间的最近距离为小于2mm并且使得在电镀期间离子阻性离子可穿透元件的所述面对衬底的表面与所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙，以及其中所述非连通通道的落入所述屏蔽件的投影中的至少一部分被阻挡，使得流过所述非连通通道的所述部分的离子电流被阻断，或者其中离子阻性离子可穿透元件的落入所述屏蔽件的投影中的一部分没有通道。