[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括提供形成有隔离结构的半导体衬底，在其上依次形成栅极介电层、栅极材料层和介质层；图案化依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和介质层，以形成位于隔离结构上的电容器叠层结构和位于隔离结构之间的半导体衬底上的MOS晶体管栅极叠层结构；在电容器叠层结构和MOS晶体管栅极叠层结构两侧形成侧壁结构；沉积内连材料层，覆盖介质层、侧壁结构、隔离结构和半导体衬底；图案化内连材料层，以形成第一内连层，通过第一内连层将MOS晶体管的源极延伸至邻近的隔离结构上的电容器叠层结构上。根据本发明，可以有效缩减伪静态随机存取存储器存储单元所占有的芯片有源区的面积。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有隔离结构；在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极材料层和介质层；图案化依次层叠的所述栅极介电层、栅极材料层和介质层，以形成位于所述隔离结构上的电容器叠层结构和位于所述隔离结构之间的半导体衬底上的MOS晶体管栅极叠层结构；在所述电容器叠层结构和MOS晶体管栅极叠层结构两侧形成侧壁结构；沉积内连材料层，覆盖所述介质层、侧壁结构、隔离结构和半导体衬底；图案化所述内连材料层，以形成第一内连层，通过所述第一内连层将所述MOS晶体管的源极延伸至邻近的所述隔离结构上的电容器叠层结构上。