[发明专利]一种立方结构MgZnO薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610387144.6 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106086796A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 韩舜;吕有明;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;刘新科;朱德亮 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供了一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：制备Mg0.5Zn0.5O靶材；将衬底放入腔体内，加热所述衬底至700℃，通入氧气以控制所述腔体压强，然后采用所述靶材，在所述衬底上进行进行脉冲沉积，获得立方结构(111)取向MgZnO薄膜；所述衬底为(111)取向单晶MgO衬底。本发明还提供了一种立方结构MgZnO薄膜，采用所述的制备方法制成。本发明利用脉冲激光沉积(PLD)技术，采用Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶制备立方相MgZnO薄膜，通过生长温度、氧气压强和氧气流量的精确控制，实现了高质量(111)取向立方MgZnO薄膜的生长，为制备不同取向高质量MgZnO基多元合金薄膜提供了便捷有效的手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立方 结构 mgzno 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备Mg0.5Zn0.5O靶材；将衬底放入腔体内，加热所述衬底至700℃，通入氧气以控制所述腔体压强，然后采用所述靶材，在所述衬底上进行脉冲沉积，获得立方结构(111)取向MgZnO薄膜；所述衬底为(111)取向单晶MgO衬底。
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