[发明专利]一种瓷介电容器绝缘边的处理方法在审
| 申请号： | 201610383934.7 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106098369A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王利凯;韩玉成;潘甲东;尚超红;刘剑林;严勇;张铎 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/005 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 550002 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，包括以下步骤：步骤1，计算陶瓷基板的实际介电常数，再通过实际的介电常数计算电极尺寸，实现电容量的调节；步骤2，用第一刀片进行绝缘边的切割，切割深度要在金属层下；步骤3，用第二刀片沿绝缘边中心切割成单粒电容器，该处理方法得到的瓷介电容器绝缘边线条清晰、明显、直线度好；并且绝缘边无残留金属，可以达到绝缘的作用；提高生产效率、降低成本、减少对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 绝缘 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种瓷介电容器绝缘边的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，计算陶瓷基板的实际介电常数，再通过实际的介电常数计算电极尺寸，实现电容量的调节；步骤2，用第一刀片进行绝缘边的切割，切割深度要在金属层下；步骤3，用第二刀片沿绝缘边中心切割成单粒电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团云科电子有限公司，未经中国振华集团云科电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610383934.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
