[发明专利]存储装置和存储器控制器有效
| 申请号： | 201610374789.6 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107452420B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 胡俊飞;王勇 | 申请（专利权）人： | 辰芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李有财 |
| 地址： | 中国(上海)自由贸易试验*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器控制器，包括DQS输入控制单元、ODT判定单元和DQS上下拉单元。DQS输入控制单元包括开关和逻辑判断电路，开关具有输入端、输出端和控制端，逻辑判断电路的第一输入端输入ODT状态信号，第二输入端输入来自存储器的DQS差分信号，其是由第一DQS信号和第二DQS信号构成，逻辑判断电路的输出端连接开关的控制端，根据ODT状态信号决定是否工作，且根据第二DQS信号拉低的时间是否超过半个时钟周期决定是否打开开关。ODT判定单元的第一输入端输入ODT状态信号，第二输入端输入DQS差分信号，且据此选择将DQS差分信号输入到开关的输入端或输出端。DQS上下拉单元的第一输入端输入ODT状态信号，第二输入端输入DQS差分信号，据此决定上拉第一DQS信号和下拉第二DQS信号的时机。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 存储器 控制器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器控制器，包括：/nDQS输入控制单元，包括开关和逻辑判断电路，该开关具有输入端、输出端和控制端，该逻辑判断电路的第一输入端输入ODT状态信号，第二输入端输入来自存储器的DQS差分信号，该DQS差分信号是由第一DQS信号和第二DQS信号构成，该逻辑判断电路的输出端连接该开关的控制端，该逻辑判断电路根据该ODT状态信号决定是否工作，且根据该DQS差分信号的第二DQS信号拉低的时间是否超过半个时钟周期决定是否打开该开关；/nODT判定单元，该ODT判定单元的第一输入端输入该ODT状态信号，该ODT判定单元的第二输入端输入该DQS差分信号，且根据该ODT状态信号选择将该DQS差分信号输入到该开关的输入端或输出端；/nDQS上下拉单元，该DQS上下拉单元的第一输入端输入该ODT状态信号，该DQS上下拉单元的第二输入端输入该DQS差分信号，该DQS上下拉单元根据该ODT状态信号和该DQS差分信号决定上拉该第一DQS信号和下拉该第二DQS信号的时机。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辰芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司，未经辰芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610374789.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用压印技术来控制磁化状态的方法
- 下一篇：固态储存装置及其状态预测方法
