[发明专利]GaN基白光LED及制备方法有效
| 申请号： | 201610374754.2 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN105870287B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 袁国栋;王乐;段瑞飞;李晋闽;王军喜;黄芳;吴瑞伟;王克超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN基白光LED，包括一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。 | ||
| 搜索关键词： | gan 白光 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处，该钙钛矿层的材料为CH3NH3Pb(BrxI3‑x)，厚度为100‑300nm。
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