[发明专利]可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法在审
| 申请号： | 201610374614.5 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN106024718A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;张可钢;陈华伦;邵国键 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在已淀积ONO复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行ONO光刻；步骤二，进行ONO干法刻蚀；步骤三，进行ONO湿法刻蚀；步骤四，使用有机溶剂去除ONO光刻胶；步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理；步骤六，进行选择管栅氧生长。新的工艺流程在ONO去胶这步使用有机溶剂去除光刻胶，不与硅反应。因此后续的选择管栅氧生长的均匀性会好很多。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 工艺 sonos 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可优化去胶工艺的SONOS存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在已淀积ONO复合膜以及氧化层的硅衬底上，使用光刻胶进行ONO光刻；步骤二，进行ONO干法刻蚀；步骤三，进行ONO湿法刻蚀；步骤四，使用有机溶剂去除ONO光刻胶；步骤五，选择管栅氧生长前的湿法处理；步骤六，进行选择管栅氧生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
