[发明专利]高K金属栅器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610367945.6 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106024893B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 何志斌;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高K金属栅器件及其制备方法，采用硅材料层作为NMOS区域下层氮化硅的阻挡层，利用退火工艺使硅充分扩散到上层氮化硅和下层氮化硅中，形成PMOS区域的TiSiN中间层和NMOS区域的TiSiN层，TiSiN材料可以阻挡后续上层金属原子向下扩散，提高了金属栅器件的稳定性；并且在后续移除NMOS区域表面残留的硅材料层，从而消除了硅材料层剩余厚度波动及其带来的NMOS阈值电压的波动，进一步提高了NMOS器件的稳定性，从而整体上提高了高K金属栅器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高K金属栅器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：提供一硅衬底；硅衬底具有PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域和NMOS区域均具有高K介质层和下层氮化钛层；步骤02：在所述下层氮化钛层上形成硅材料层；步骤03：在所述硅材料层上形成上层氮化钛层；步骤04：去除所述NMOS区域的上层氮化钛层；步骤05：经退火工艺，使硅材料层中的硅产生扩散进入上层氮化钛层和下层氮化钛层，从而在PMOS区域的上层氮化钛层和下层氮化钛层之间形成TiSiN中间层，以及在NMOS区域的下层氮化钛层表面形成TiSiN层；步骤06：去除所述NMOS区域残留的硅材料层。
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