[发明专利]铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料及其合成方法、薄膜电池有效
| 申请号： | 201610364756.3 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105845760B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张晓琨;杨咏梅;向勇;高诗光;夏天培 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙)51238 | 代理人： | 黎祖琴 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料的合成方法，包括以下步骤，提供硒前驱体溶液、铜铟镓硒前驱体溶液、铜锑前驱体溶液，所述三种前驱体溶液中硒元素总摩尔量是铜元素总摩尔量的1.5‑3倍；将硒前驱体溶液与铜锑前驱体溶液，注入到铜铟镓硒前驱体溶液中，升温至100‑300℃，以长链烯化合物为螯合剂，合成铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料。本发明还涉及一种由上述方法合成的铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料以及一种应用上述铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料的一种薄膜电池，所述铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料具有以铜铟镓硒材料为核体，以铜锑硒材料形成壳体的核壳结构。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒铜锑硒 复合 纳米 材料 及其 合成 方法 薄膜 电池 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料，其特征在于：所述铜铟镓硒铜锑硒复合纳米材料具有以铜铟镓硒材料为核体，以铜锑硒材料形成壳体的核壳结构，其中硒元素摩尔量是铜元素摩尔量的1.5‑3倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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