[发明专利]闪存单元的操作方法有效
| 申请号： | 201610361512.X | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106057238B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存单元的操作方法，闪存单元包括：第一和第二分栅闪存单元，第一分栅闪存单元的源极和漏极分别连接第一位线和第三位线，第二分栅闪存单元的源极和漏极分别连接第二位线和第三位线；第一和第二分栅闪存单元的第一控制栅相连并连接第一控制栅线，第一和第二分栅闪存单元的第二控制栅相连并连接第二控制栅线；第一和第二分栅闪存单元的字线栅相连并连接字线；操作方法包括：通过对第一位线、第三位线、字线、第一控制栅线、第二控制栅线的电压配置，选中第一分栅闪存单元的第一存储位，并使得所述第一存储位处于待读取或待编程状态；将第二位线浮空；对所述第一存储位进行读取或编程操作。本发明方案可以提高闪存单元的读或编程的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存单元的操作方法，其特征在于，所述闪存单元包括：第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元，所述第一分栅闪存单元和第二分栅闪存单元分别具有源极、漏极、第一控制栅、字线栅和第二控制栅；所述第一分栅闪存单元的源极连接第一位线，所述第二分栅闪存单元的源极连接第二位线，所述第一分栅闪存单元的漏极连接所述第二分栅闪存单元的漏极并连接第三位线；所述第一分栅闪存单元的第一控制栅连接所述第二分栅闪存单元的第一控制栅并连接第一控制栅线，所述第一分栅闪存单元的第二控制栅连接所述第二分栅闪存单元的第二控制栅并连接第二控制栅线；所述第一分栅闪存单元的字线栅连接所述第二分栅闪存单元的字线栅并连接字线；其中，相邻闪存单元之间不共用位线；所述闪存单元的操作方法包括：通过对所述第一位线、第三位线、字线、第一控制栅线、第二控制栅线的电压配置，选中所述第一分栅闪存单元内的第一存储位，并使得所述第一分栅闪存单元的第一存储位处于待读取或待编程状态；将所述第二位线浮空；对所述第一分栅闪存单元的第一存储位进行读取或编程操作。
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