[发明专利]一种制备单层MoS2的方法

摘要

本发明公开一种制备单层MoS2的新方法，具体是通过催化法提高单层MoS2尺寸和实验的重复性。本发明使用含碳催化剂溶液对SiO2/Si衬底进行处理，然后利用CVD的方法来制备出单层MoS2样品。使用金相显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜以及扫描电镜等对样品的光学性质以及表面形貌进行了测试分析。本发明方法通过催化法制备单层MoS2，将单层MoS2的尺寸提高到了几十微米，质量很好，而且提高了实验的重复性。本发明方法相比较现有技术，不仅制备出了大尺寸单层MoS2，并且提高了实验的重复性，实验操作起来简单，可行性强，制备周期短，成本低等优点。

主权项

一种制备单层MoS2的方法，该方法主要包括以下步骤：步骤(1)、对SiO2/Si衬底进行清洗：利用具有强氧化性化合物溶液清除衬底表面可能存在的有机物分子；其中SiO2/Si衬底中SiO2为280～300nm；步骤(2)、利用含碳催化剂对步骤（1）中清洗后SiO2/Si衬底氧化层表面进行预处理；步骤（2）所述的含碳催化剂为氧化石墨烯量子点、石墨烯量子点或碳纳米管；步骤(3)、利用化学气相沉积的方法来制备单层MoS2样品，具体是利用双温区加热炉对硫源和钼源进行加热，两个源直接的距离为25cm，用来保证S与MoO3反应；将SiO2/Si衬底氧化层面朝下反扣在装MoO3石英器皿上，进行生长；在生长过程中，温区2的控制条件为以20℃/min的速度升温到680℃，并且保温20min，然后在20min内快速降至室温，得到样品。