[发明专利]非晶相碳/M金属层形成于基板的制造方法有效
| 申请号： | 201610347996.2 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107419220B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 赖富德 | 申请（专利权）人： | 高雄第一科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳、金属双层及碳、金属、碳三层形成于基板的制造方法，包含施以镍溅镀工艺，电浆轰击镍靶，以沉积铜或镍层于基板上；以电浆轰击含碳的反应气体及铜或镍靶以形成铜或镍、碳混合层于镍层上；施以真空退火工艺以形成(非)晶相碳/铜或镍层/(非)晶相碳/铜或镍层于基板上。在另一实施例中，先预于溅镀室先预镀镍层，再以电浆同时轰击铜或镍靶及石墨靶或顺序轰击铜或镍靶及石墨靶，然后，再予以退火，退火时在含氢气氛下形成(非)晶相碳/铜或镍层/(非)晶相碳三层。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶相碳 金属 形成 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳/铜层形成于基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含以下步骤：提供基板；施以M金属溅镀工艺，电浆轰击M金属靶，以沉积M金属层于所述基板上，所述M金属是选自铜或镍其中的一种；以电浆轰击含碳的反应气体及M金属靶以形成M金属/碳混合层于所述M金属层上；以250℃‑1100℃的退火温度施以退火工艺以形成晶相碳/M金属层于所述基板上，或者，以50℃‑250℃的退火温度施以退火工艺以形成非晶相碳/M金属层于所述基板上。
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