[发明专利]双侧墙VDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610346477.4 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107425064A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双侧墙VDMOS器件及其制作方法，该方法包括在N+衬底上形成N‑外延层；在N‑外延层上依次形成第一栅绝缘层、栅极层和第二栅绝缘层；在N‑外延层上的源区内注入P‑离子和N+离子；形成覆盖所述栅极层侧壁的绝缘隔离墙；在形成了绝缘隔离墙的结构之上形成绝缘材料层；其中，所形成的绝缘材料层与所述绝缘隔离墙材质不同；对形成的绝缘材料层进行干法刻蚀至暴露出源区的N‑外延层；其中，干法刻蚀中所采用的气体不适合刻蚀所述绝缘隔离墙；在刻蚀后的结构之上形成金属层。本发明中，由于绝缘隔离墙的隔离作用，能够很好的避免栅极层的侧壁暴露，能够有效降低后续过程形成的源极与栅极直接接触的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 双侧墙 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双侧墙VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在N+衬底上形成N‑外延层；在N‑外延层上依次形成第一栅绝缘层、栅极层和第二栅绝缘层；其中，第一栅绝缘层、栅极层和第二栅绝缘层层叠设置，且图形相同；在N‑外延层上的源区内注入P‑离子和N+离子；形成覆盖所述栅极层侧壁的绝缘隔离墙；在形成了绝缘隔离墙的结构之上形成绝缘材料层；其中，所形成的绝缘材料层与所述绝缘隔离墙材质不同；对形成的绝缘材料层进行干法刻蚀至暴露出源区的N‑外延层；其中，干法刻蚀中所采用的气体不适合刻蚀所述绝缘隔离墙；在刻蚀后的结构之上形成金属层。
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