[发明专利]一种去除钝化发射极背面接触太阳能电池皮带印的方法有效
申请号: | 201610345127.6 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN105845781B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 陈丽萍;王丹;朱俊;陆红艳;陈如龙 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种去除PERC(钝化发射极背面接触)太阳能电池背面皮带印的方法,PERC太阳能电池制作工序步骤为P型基板清洗、三氯氧化磷扩散、刻蚀、钝化淀积、背面开孔、丝网印刷电极和共烧,其特征是,在刻蚀工艺下料前通过增加硅片翻转步骤,使得硅片正面朝下,由于硅片正面经扩散形成PN结后,正面具有表面场钝化保护的效果,硅片正面与传动滚轮或传输皮带接触都不会产生摩擦痕或皮带印,以此来去除电池背面的皮带印,本发明的方法不仅彻底解决了电池背面皮带印的问题,且改善了电池的电学特性,进一步节约了生产电池的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 去除 钝化 发射极 背面 接触 太阳能电池 皮带 方法 | ||
【主权项】:
一种去除钝化发射极背面接触太阳能电池皮带印的方法,PERC太阳能电池制作工序步骤为:P型基板清洗、三氯氧化磷扩散、刻蚀、钝化淀积、背面开孔、丝网印刷电极和共烧,其特征是,在刻蚀工艺下料前通过增加硅片翻转步骤,来去除电池背面的皮带印,刻蚀工艺的具体步骤如下:步骤一. 水膜覆盖(1):在扩散后形成PN结的硅片表面喷涂定量纯水,水完整均匀地覆盖在硅片表面形成水膜;步骤二. 刻蚀(2):将硅片置于氢氟酸和硝酸的混合溶液槽中,使溶液与硅片发生反应,去除扩散产生的硅片截面边缘的PN结;步骤三. 一次水洗(3):将硅片置于清洗槽中,使用纯水进行漂洗,去除硅片表面残留的氢氟酸和硝酸混合溶液;步骤四. 碱洗(4):将硅片置于氢氧化钠或氢氧化钾溶液槽中,去除硅片在刻蚀过程中产生的多孔硅;步骤五. 二次水洗(5):将硅片置于清洗槽中,使用纯水进行漂洗,去除硅片表面残留的氢氧化钠或氢氧化钾溶液;步骤六. 酸洗(6):将硅片置于氟化氢溶液槽中,去除硅片表面的金属离子;步骤七. 三次水洗(7):将硅片置于清洗槽中,使用纯水进行漂洗,去除硅片表面残留的低浓度的氟化氢溶液;步骤八. 烘干(8):使用压缩空气或氮气加热吹风将硅片表面吹干;步骤九. 硅片翻转(9):硅片背面朝下,通过吸盘将硅片180度翻转;步骤十. 下料(10):硅片正面朝下,通过传动滚轮传输至皮带上,并由皮带传输至承载盒内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的