[发明专利]绝缘体上半导体构造中的电熔丝有效
| 申请号： | 201610344427.2 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106169465B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | J·霍恩切尔;P·巴尔斯;H-P·莫尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及绝缘体上半导体构造中的电熔丝，具体涉及一种形成具有熔丝的半导体装置的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)结构，其中该绝缘体上半导体结构包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的半导体层；形成增高半导体区于该半导体层上并邻近该半导体层的中间部分；执行硅化制程于该半导体层的该中间部分及该增高半导体区，以形成硅化半导体层及硅化增高半导体区。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 绝缘体 上半 导体 构造 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有熔丝的半导体装置的方法，该方法包括：提供绝缘体上半导体(SOI)结构，该绝缘体上半导体结构包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的半导体层；形成隔离区于该绝缘体上半导体结构中，用以区隔该绝缘体上半导体结构的第一区域及第二区域；形成增高半导体区于该半导体层上并邻近该第一区域的该半导体层的中间部分；执行硅化制程于该半导体层的该中间部分及该增高半导体区，以形成硅化半导体层及硅化增高半导体区；以及形成晶体管装置于该第二区域，其中，形成该晶体管装置包括形成栅极堆迭及于该栅极堆迭的侧壁处的侧壁间隔物，及更包括，在形成该增高半导体区前及形成该栅极堆迭及该侧壁间隔物后，形成掩模层于该半导体层上。
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