[发明专利]半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 201610344090.5 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107424930B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李皞明;林胜豪;江怀慈 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构的制作方法，至少包含:首先，形成四个牺牲图案层于一基底上，接着形成多个间隙壁于该四个牺牲图案层周围，然后移除该四个牺牲图案层，接下来，形成一光致抗蚀剂层于各该间隙壁之间，并且部分覆盖各该间隙壁，接着进行一第一蚀刻步骤，以部分移除各该间隙壁，然后移除该光致抗蚀剂层，以及进行一第二蚀刻步骤，再次部分移除各该间隙壁，以形成四个纳米线掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制作方法，至少包含:形成四个牺牲图案层于一基底上；形成多个间隙壁于该四个牺牲图案层周围；移除该四个牺牲图案层；形成一光致抗蚀剂层于各该间隙壁之间，并且部分覆盖各该间隙壁；进行一第一蚀刻步骤，以部分移除各该间隙壁；移除该光致抗蚀剂层；以及进行一第二蚀刻步骤，再次部分移除各该间隙壁，以形成四个纳米线掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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