[发明专利]快速制备粗糙层热解炭的方法有效
申请号: | 201610343893.9 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN106007771B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 曾燮榕;邹广金;肖煜琨;邹继兆;吴洪亮 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | C04B35/83 | 分类号: | C04B35/83 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 左光明 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种快速制备粗糙层热解炭的方法。本发明方法包括如下步骤:采用微波对碳化硅管加热处理,并将沉积区的温度控制为1000~1400℃,使得通入所述碳化硅管内的碳源气体进行裂解反应,使得生成的粗糙层热解炭在所述沉积区沉积生长粗糙层热解炭。本发明快速制备粗糙层热解炭的方法采用微波对碳化硅管加热处理,使得碳源能够在碳化硅管腔体内均匀受热,且快速裂解,并使得沉积的粗糙层热解炭组织结构均匀,微观可控。另外,本发明方法制备粗糙层热解炭的效率高,工艺条件易控,制备的粗糙层热解炭组织结构稳定,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 快速 制备 粗糙 层热解炭 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快速制备粗糙层热解炭的方法,其特征在于,包括如下步骤:采用微波对碳化硅管加热处理,并将沉积区的温度控制为1000~1400℃,使得通入所述碳化硅管内的碳源气体进行裂解反应,使得生成的粗糙层热解炭在所述沉积区沉积生长粗糙层热解炭;由管的中心轴向管外壁延伸的方向,所述碳化硅管包括设置的保温芯层、第一碳化硅层、通道层、第二碳化硅层和保温层,所述第一碳化硅层套设在所述保温芯层表面,所述保温层套设在所述第二碳化硅层表面。
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