[发明专利]半导体装置

摘要

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括第一电轨、第二电轨、至少一个标准单元和至少一个电桥。第一电轨在基底上方沿第一方向延伸。第二电轨在基底上方沿第一方向延伸，第二电轨在与第一方向交叉的第二方向上与第一电轨隔开。至少一个标准单元从第一电轨和第二电轨接收第一电压。至少一个电桥在第二方向上连接第一电轨和第二电轨。第一电轨和第二电轨形成在第一金属层中，至少一个电桥形成在位于第一金属层下方的底金属层中。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一电轨，在具有第一导电类型的基底上方沿第一方向延伸；第二电轨，在基底上方沿第一方向延伸，第二电轨在与第一方向交叉的第二方向上与第一电轨隔开预定距离；至少一个标准单元，从第一电轨和第二电轨接收第一电压；有源鳍，从基底突出，有源鳍沿第一方向延伸；以及至少一个电桥，被构造成在所述至少一个标准单元内沿第二方向连接第一电轨和第二电轨，其中，第一电轨和第二电轨形成在第一金属层中，所述至少一个电桥形成在位于第一金属层下方的底金属层中，其中，所述半导体装置还包括：第一阱，形成在基底中，第一阱具有第二导电类型；第二阱，与第一阱分开地形成在基底中，第二阱具有第二导电类型，其中，第一电轨形成在第一阱上方，第二电轨形成在第二阱上方；第一杂质区，形成在第一阱中且在标准单元内；第二杂质区，形成在第二阱中且在标准单元内；栅电极，在第二方向上与第一杂质区和第二杂质区交叉，其中，所述至少一个电桥在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上与栅电极部分地叠置，所述至少一个电桥被形成为在第三方向上高于栅电极。