[发明专利]具有惰性气体环境的模片键合装置有效
| 申请号： | 201610341324.0 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106206365B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘少荣;洪健益;欧玉璋;黎永钊;李敏;吴世源 | 申请（专利权）人： | 先进科技新加坡有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 艾晶 |
| 地址： | 新加坡2*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种模片键合装置包括：第一惰性气体容器，该第一惰性气体容器具有第一惰性气体浓度；以及封闭在所述第一惰性气体容器内的第二惰性气体容器，该第二惰性气体容器具有第二惰性气体浓度。第二惰性气体浓度比第一惰性气体浓度高。该模片键合装置还包括：键合头，该键合头位于所述第二惰性气体容器中用于接收待键合模片；以及第三惰性气体容器，该第三惰性气体容器具有与所述第一惰性气体容器和所述第二惰性气体容器分离并且能够定位基板以键合模片的惰性气体环境。所述键合头操作成在所述第二惰性气体容器内的第一位置和所述第三惰性气体容器内的第二位置之间移动所述模片，以将所述模片键合到位于所述第三惰性气体容器中的所述基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 惰性气体 环境 模片键合 装置 | ||
【主权项】：
1.一种模片键合装置，该模片键合装置包括：第一惰性气体容器，该第一惰性气体容器具有第一惰性气体浓度；封闭在所述第一惰性气体容器内的第二惰性气体容器，该第二惰性气体容器具有第二惰性气体浓度，该第二惰性气体浓度比所述第一惰性气体浓度高；键合头，该键合头位于所述第二惰性气体容器中用于接收待键合模片；以及第三惰性气体容器，该第三惰性气体容器具有与所述第一惰性气体容器和所述第二惰性气体容器分离并且能够定位基板以键合模片的惰性气体环境；其中，所述键合头操作成在所述第二惰性气体容器内的第一位置和所述第三惰性气体容器内的第二位置之间移动所述模片，以将所述模片键合到位于所述第三惰性气体容器中的所述基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
