[发明专利]一种磁控溅射制备CeO2/PTFE/Nafion复合膜的方法有效
| 申请号： | 201610339117.1 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105977515B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 杨加志;刘晓慧;夏庆成;韩静;曾干敏;毛霏;孙东平 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01M8/1016 | 分类号： | H01M8/1016;H01M8/1069;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射法制备CeO2/PTFE/Nafion复合膜，本发明采用磁控溅射法并通过控制溅射时间、溅射功率、压力等条件在PTFE膜的表面溅射CeO2，制得CeO2/PTFE复合膜，再在CeO2/PTFE复合膜上浇铸Nafion树脂，制备出CeO2/PTFE/Nafion复合膜，测量制得的CeO2/PTFE/Nafion复合膜的含水率达到30％，质子电导率达到0.071s/cm。本发明制备的CeO2/PTFE/Nafion复合膜成本低廉，改性以后的复合膜接触角从130°减小到60°且机械强度不变，但使用寿命明显增加，可应用于质子交换膜燃料电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 制备 ceo sub ptfe nafion 复合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射制备CeO2/PTFE/Nafion复合膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1，将PTFE微孔膜、CeO2靶材进行预处理；步骤2，将预处理好的PTFE微孔膜和CeO2靶材于氩气气氛中，在磁控溅射时间30‑180s，磁控 溅射功率20‑100W，溅射压强0.2‑1.0Pa条件下进行磁控 溅射，制得到CeO2/PTFE复合膜；步骤3，将二甲亚砜与5％的Nafion树脂按1:1～3：1混合，旋蒸脱水处理，浸渍步骤2中的CeO2/PTFE复合膜，制得CeO2/PTFE/Nafion复合膜。
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