[发明专利]采用p‑n半导体氧化物异质结构的传感器及其使用方法在审
| 申请号： | 201610335029.4 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106814109A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | P·K·杜塔;孙晨虎 | 申请（专利权）人： | 俄亥俄州创新基金会 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所11494 | 代理人： | 吴培善 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开基于p‑n金属氧化物半导体(MOS)异质结构的传感器和系统。本文描述的传感器和系统可以包括感测元件，所述感测元件包括第一区域，所述第一区域包括p型MOS材料(例如，NiO)；以及第二区域，所述第二区域包括n型MOS材料(例如，In2O3)。这些传感器和系统可以展现对ppb水平下的NH3的敏感性和选择性，而同时辨别千倍以上浓度(ppm)下并且在相当大范围(0至20ppm)内散布的CO、NO或其组合。这些传感器和系统可以用来检测和/或量化样本中的NH3，所述样本包括生物样本(例如，呼吸样本)和燃烧气体。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 半导体 氧化物 结构 传感器 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种用于感测气体样本中的NH3的传感器装置，所述传感器装置包括感测元件，所述感测元件包括：第一区域，所述第一区域包括p型金属氧化物半导体(MOS)材料，所述p型金属氧化物半导体(MOS)材料包括NiO；以及第二区域，所述第二区域包括n型MOS材料，所述n型MOS材料包括In2O3；其中所述第一区域邻近并且接触所述第二区域。
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