[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610331274.8 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107403754B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 包小燕;董天化;吴亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有图形化的第一多晶硅层和第二多晶硅层；在图形化的第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成底部硅化物阻挡层、中间硅化物阻挡层和顶部硅化物阻挡层；图形化顶部硅化物阻挡层，以定义待形成硅化物的区域；以图形化的顶部硅化物阻挡层为遮蔽层，去述中间硅化物阻挡层位于待形成硅化物的区域内的部分；去除底部硅化物阻挡层位于待形成硅化物的区域内的部分，其中，中间硅化物阻挡层对顶部硅化物阻挡层和底部硅化物阻挡层具有选择性。该制作方法可以提高多晶硅互连层侧壁硅化物形成能力。该半导体器件和电子装置具有电学性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有图形化的第一多晶硅层和第二多晶硅层；在所述图形化的第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成底部硅化物阻挡层、中间硅化物阻挡层和顶部硅化物阻挡层；图形化所述顶部硅化物阻挡层，以定义待形成硅化物的区域；以所述图形化的顶部硅化物阻挡层为遮蔽层，去除所述中间硅化物阻挡层位于所述待形成硅化物的区域内的部分；去除所述底部硅化物阻挡层位于所述待形成硅化物的区域内的部分，其中，所述中间硅化物阻挡层对所述顶部硅化物阻挡层和底部硅化物阻挡层具有选择性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
