[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成有多个光电二极管，在半导体衬底的正面形成有介电层和图案化的硬掩膜层；依次刻蚀介电层和部分半导体衬底，以在光电二极管之间形成多个通孔开口；在通孔开口中填充金属层以形成多个通孔；对半导体衬底的背面进行减薄处理停止于通孔中；从半导体衬底的背面开始刻蚀半导体衬底，停止于介电层上，以形成多个位于光电二极管和通孔之间的隔离沟槽，其中每个隔离沟槽的俯视形状为环形，每一隔离沟槽包围一光电二极管。本发明的制造方法减少了氧化硅的使用量，降低了制造工艺的成本，提高了器件的可靠性和性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有多个光电二极管，在所述半导体衬底的正面形成有介电层，以及在所述介电层上形成有图案化的硬掩膜层；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述介电层和部分所述半导体衬底，以在所述光电二极管之间形成多个通孔开口；在所述通孔开口中填充金属层，以形成多个通孔；对所述半导体衬底的背面进行减薄处理，停止于所述通孔中；从所述半导体衬底的背面开始刻蚀所述半导体衬底，停止于所述介电层上，以形成多个位于所述光电二极管和所述通孔之间的隔离沟槽，其中，每个所述隔离沟槽的俯视形状为环形，每一所述隔离沟槽包围一所述光电二极管，使相邻的光电二极管相隔离。