[发明专利]单晶硅双面太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅双面太阳电池，在单晶硅衬底的正面依次形成正面制绒形貌结构、正面PN发射结、正面钝化减反介质层以及正面电极，在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构、背表面场、背面钝化减反介质层以及背面电极，其特征在于所述背面制绒形貌结构为平台形绒面，各平台结构分散，或者，平铺，或者，部分分散、部分平铺、部分相连、部分交叠地分布在硅衬底上，平台结构具有与硅衬底相连接的下平面及下平面相对的上平面，下平面的尺寸大于上平面；上平面的边长为2至10μm，平台结构的高度为1至8μm。本发明还公开了一种单晶硅双面太阳电池的制备方法。本发明可优化双面太阳电池的少数载流子表面复合和光学吸收特性，提高量子转换效率。

主权项

单晶硅双面太阳电池，在单晶硅衬底(100)的正面依次形成正面制绒形貌结构(1)、正面PN发射结(2)、正面钝化减反介质层(3)以及正面电极(4)，在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构(5)、背表面场(6)、背面钝化减反介质层(7)以及背面电极(8)，其特征在于：所述背面制绒形貌结构(5)为平台形绒面，各平台结构(5a)分散，或者，平铺，或者，部分分散、部分平铺、部分相连、部分交叠地分布在硅衬底上；所述平台结构(5a)具有与硅衬底(100)相连接的下平面及下平面相对的上平面，下平面的尺寸大于上平面；所述上平面的边长为2至10μm，平台结构(5a)的高度为1至8μm。