[发明专利]三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法有效
申请号: | 201610323970.4 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN105826535B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 刘雪娇;宰建陶;钱雪峰;李波;何青泉;马对;李晓敏;张敏敏;刘园园;张洋;邹健;徐哲颖 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法,以纳米碳膜组成的3D多级碳网为骨架,碳膜上镶嵌Na2Ge4O9纳米粒子的结构。Na2Ge4O9在循环过程中产生的Na2O、Li2O可以作为柔性基质缓解Ge充放电过程中的体积膨胀问题。而3D碳网一方面增加了材料的导电性,另一方面分散了Na2Ge4O9纳米粒子,提供Ge体积膨胀的空间。与现有技术相比,本发明利用简单易得的NaCl模板,制备出多级结构,方法简单,设计巧妙。所制备的材料得到很好的倍率性能和长循环稳定性。有很高的实际应用前景。 | ||
搜索关键词: | 三维 多孔 负载 na sub ge 复合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物,其特征在于,以纳米碳膜形成3D碳网为骨架,碳膜上镶嵌Na2Ge4O9纳米粒子,其中碳含量为5‑89wt%。
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